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IRHNJ53130

数据手册
封装

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IRHNJ53130
IRHNJ53130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    75 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ53130 是采用 SMD-0.5 封装的单 R5 N 沟道 MOSFET，具有高达 300krad(Si) TID 的高辐射耐受性。它的最大电压为100V，最大电流为22A，非常适合空间应用。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷，该抗辐射 MOSFET 可最大限度地减少开关应用中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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