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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNJ63230
商品详情
-
ESD Class3A
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ID (@100°C) max10 A
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QG50 nC
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QPL Part Number2N7591U3
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TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS200 V
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VF max1.2 V
-
Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100 300
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PackageSMD-0.5
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PolarityN
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Voltage Class100 V
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Die Size3
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QualificationCOTS
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LanguageSPICE
-
ConfigurationDiscrete
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OPN
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Infineon stock last updated:
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||
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| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
这款 200V、16A 抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，专为空间应用而设计，具有更高的抗单粒子效应 (SEE) 能力。IRHNJ63230 具有低 RDS(on) 和快速开关时间，可提高 DC-DC 转换器和电机控制器等高速应用中的功率密度。该 MOSFET 具有 COTS 分类和高达 300krad(Si) TID 电气性能，适用于空间应用。