现货，推荐

IRHNJ63230

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ63230
IRHNJ63230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    3A
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7591U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 200V、16A 抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，专为空间应用而设计，具有更高的抗单粒子效应 (SEE) 能力。IRHNJ63230 具有低 RDS(on) 和快速开关时间，可提高 DC-DC 转换器和电机控制器等高速应用中的功率密度。该 MOSFET 具有 COTS 分类和高达 300krad(Si) TID 电气性能，适用于空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }