IRHNJ9A7234
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IRHNJ9A7234

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IRHNJ9A7234
IRHNJ9A7234
  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7649U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    110 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ9A7234 是一款抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET,采用 SMD-0.5 封装,具有 250V 和 17A 的能力。该单个 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 COTS 分类。这款 R9 MOSFET 具有改进的 SEE 抗扰度、低 RDS(on) 和更快的开关时间,非常适合空间中的 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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