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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNJ9A7234SCS
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ESD等级Class 2
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最高 ID (@25°C)17 A
-
QG34 nC
-
QPL部件号2N7649U3
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最高 RDS (on) (@25°C)110 mΩ
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最低 VBRDSS250 V
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最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.5
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极性N
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生成R9
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电压等级100 V
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| 无卤素 |
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抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET IRHNJ9A7234SCS 提供 250V 和 17A 的功能。在 SMD-0.5 封装中，该单个 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。这款 R9 MOSFET 具有改进的 SEE 抗扰度、低 RDS(on) 和更快的开关时间，专为高速开关应用而设计，例如空间中的 DC-DC 转换器和电机控制器。
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