IRHNKC9A7034
现货，推荐

IRHNKC9A7034

20 V 至 650 V，符合 DLA 和 ESA 太空标准
数据手册
封装

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IRHNKC9A7034
IRHNKC9A7034
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，60V，40A，N沟道MOSFET，R9采用SMD-0.5e（陶瓷盖）封装 - SMD-0.5e，100krad（Si）TID，COTS

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：2 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区