IRHNM57110
不建议用于新设计

IRHNM57110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNM57110
IRHNM57110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    4.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNM57110 是一款抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET，具有 100V、6.9A 的 SMD-0.2封装R5 技术提供高性能功率 MOSFET，具有更好的抗单粒子效应 (SEE) 能力。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。电压控制、快速开关和温度稳定性使该 COTS MOSFET 成为空间应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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