IRHNM57110SCS

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IRHNM57110SCS
IRHNM57110SCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNM57110SCS 采用 SMD-0.2封装该单个 MOSFET 的额定电压为 100V,额定电流为 6.9A,非常适合空间应用。其电气性能高达100krad(TID),并达到QIRL分类。低 RDS(on) 和低栅极电荷的组合使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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