IRHNME597110
现货，推荐

IRHNME597110

60V，25A，抗辐射 MOSFET，SMD-0.2e 陶瓷盖封装 – 100 krad TID，商用现货
数据手册

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IRHNME597110
IRHNME597110
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商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@25°C)
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL部件号
    2N7506U8CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1.2 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称 C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNME597110 是 R9 代抗辐射 P沟道MOSFET 单管，采用 SMD-0.2e 封装，带有陶瓷盖，耐压 100 V，电流 -3.1 A。它是空间应用的最佳选择，因为其低 RDS(on) ) 和快速开关特性将在直流对直流转换器或电机驱动等应用中实现更好的性能。该器件保留了所有 MOSFET 成熟的优点，如电压控制以及快速开关。

特性

  • 抗单粒子效应（SEE），最大 LET 值高达 90 MeV.cm2/mg
  • 极低的 RDS(on) )
  • 门级电荷低
  • 快速开关
  • 密封陶瓷封装
  • 贴片封装
  • 重量轻
  • 静电防护等级：符合MIL-STD-750 标准 1020方法，达 1C 级
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