IRHNS53160SCS

数据手册

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IRHNS53160SCS
IRHNS53160SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL Part Number
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNS53160SCS 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET。这款 QIRL 分类 MOSFET 的额定电压为 100V，电流处理能力为 75A，电气性能高达 300krad(Si) TID。SEE 的特征在于 LET 高达 80MeV·cm2/mg，其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用的功率损耗。

应用

文档

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设计资源

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