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IRHNS57160SCS
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IRHNS57160SCS 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射单 N 沟道 MOSFET。这款 R5 MOSFET 具有 100V、75A 额定值以及高达 100krad(Si) TID 的电气性能，并符合 QIRL 分类。它是空间应用的理想选择，其特点是单粒子效应，性能高达 80MeV·cm2/mg，并且由于低 RDS(on) 和低栅极电荷，适用于 DC-DC 转换器和电机控制。