现货，推荐

IRHYS67230CSCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS67230CSCS
IRHYS67230CSCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL部件号
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS67230CSCS R6 N 沟道 MOSFET 具有 200V 和 16A 容量的抗辐射性能。它采用 TO-257AA 低欧姆封装，专为空间应用而设计。通过提高对单粒子效应的免疫力，它提供了非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间，提高了 DC-DC 转换器和电机控制器的功率密度。电气性能特征高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }