IRHYS67230CSCS
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IRHYS67230CSCS

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IRHYS67230CSCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL部件号
    2N7592T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYS67230CSCS R6 N 沟道 MOSFET 具有 200V 和 16A 容量的抗辐射性能。它采用 TO-257AA 低欧姆封装，专为空间应用而设计。通过提高对单粒子效应的免疫力，它提供了非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间，提高了 DC-DC 转换器和电机控制器的功率密度。电气性能特征高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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