IRHYS67234CMSCS

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IRHYS67234CMSCS
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商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    40 nC
  • QPL部件号
    2N7594T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS67234CMSCS R6 N 沟道 MOSFET 是单抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 16A。它专为空间应用而设计，辐射硬度高达 100krad(Si) TID 并具有 QIRL 分类。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 MOSFET 还具有快速开关、温度稳定性和电压控制等特点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区