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IRHYS67234CMSCS
商品详情
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QG40 nC
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IRHYS67234CMSCS R6 N 沟道 MOSFET 是单抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 16A。它专为空间应用而设计，辐射硬度高达 100krad(Si) TID 并具有 QIRL 分类。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 MOSFET 还具有快速开关、温度稳定性和电压控制等特点。