IRL3103

IRL3103

采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRL3103
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    64 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    11.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    16 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.8 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 完全符合雪崩等级
  • 逻辑级别

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区