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IRL60SC216
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IRL60SC216

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60 V 逻辑电平 StrongIRFET ™功率 MOSFET，D2PAK 7pin 封装
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封装
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IRL60SC216
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数据手册

  • 最高 ID (@25°C)
    324 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.4 W
  • Qgd (typ)
    78 nC
  • QG (typ @10V)
    174 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • 最高 VGS(th)
    2.4 V
  • VGS(th)
    1 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.89

OPN
IRL60SC216ARMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
IL
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英飞凌最新的逻辑电平 60 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件针对高电流和低 RDS(on) 进行了优化，使其成为高电流电池供电应用的理想解决方案。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 高电流能力
  • 行业标准封装
  • 灵活的引脚排列
  • 针对 5 V 栅极驱动进行了优化

产品优势

  • 降低传导损耗
  • 提高功率密度
  • 直接替换现有设备
  • 提供设计灵活性
  • 在嘈杂环境中提供对误开启的免疫力
  • 可在低电池电量条件下驱动

应用

文档

设计资源

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