IRLH7134

IRLH7134

采用 PQFN 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRLH7134
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    134 A
  • 最高 Ptot
    104 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @4.5V)
    39 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 E/G
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

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