IRLML2803GPBF

IRLML2803GPBF

采用无卤素 Micro3 封装的 30V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRLML2803GPBF
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    1.2 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    0.54 W
  • Qgd
    1.1 nC
  • QG (typ @10V)
    3.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    400 mΩ
  • 最高 RthJA
    230 K/W
  • Special Features
    Small Signal
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-23
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区