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IRLML9301
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无铅

IRLML9301

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-30V 单 P 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装

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IRLML9301
IRLML9301


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -3.6 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.3 W
  • Qgd
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.8 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    64 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    103 mΩ
  • 最高 RthJA
    100 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1.3 V 至 -2.4 V
  • VGS(th)
    -1.85 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-23
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.06

OPN
IRLML9301TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 标准表面贴装电源封装
  • 符合 JEDEC 标准
  • 低于 100 kHz 的开关应用
  • 更软的体二极管

产品优势

  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 高性能、低频率
  • 提高功率密度
文档

设计资源

开发者社区