ISA220280C03LMDS
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISA220280C03LMDS

OptiMOS ™双 N+P 通道功率 MOSFET 30 V，采用 SO-8 封装
数据手册
封装

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ISA220280C03LMDS
ISA220280C03LMDS
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    8.4 A, -8.1 A
  • QG (typ @4.5V)
    4.2 nC, -7.2 nC
  • QG (typ @10V)
    8.9 nC, -14.8 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    28 mΩ, 22 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    37 mΩ, 25 mΩ
  • 最高 VDS
    -30 V, 30 V
  • VGS(th) 范围
    -1.1 V 至 -2.7 V, 1.1 V 至 2.7 V
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N+P
  • 特殊功能
    Logic Level
推荐的
OPN
ISA220280C03LMDSXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借采用 SO-8 封装的全新 OptiMOS ™双功率 MOSFET 30 V（ISA220280C03LMDS），英飞凌为最佳性价比产品提供了基准解决方案。N+P 双通道 MOSFET 是割草机器人、真空机器人、无人机和许多其他低功耗 DCDC 应用的完美解决方案。此外，双 MOSFET 是创建紧凑、直接的设计解决方案的绝佳选择。

特性

  • 最佳性价比
  • RDS(on) max 和 FOMQg 优化
  • 封装标准化：SO8
  • 易于使用（LL 目标）
  • 有竞争力的价格
  • 小尺寸封装

产品优势

  • 适合的产品，灵活使用
  • 高效率
  • 便捷的选择和购买
  • 易于设计
  • 降低系统成本
  • 减少 PCB 占用空间
文档

设计资源

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