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符合RoHS标准

ISC009N06NM6SC

OptiMOS ™ 6 N 沟道功率 MOSFET 60 V，采用 SuperSO8 双面冷却
数据手册
封装

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ISC009N06NM6SC
ISC009N06NM6SC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    344 A
  • QG (typ @10V)
    97 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
OPN
ISC009N06NM6SCATMA1
产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 6 60 V - 最新的功率 MOSFET 技术为基准性能设定了新的行业标准。 与其前代产品 OptiMOS ™ 5 相比，英飞凌的最新晶圆技术显著提高了性能，包括 SuperSO8 DSC 中的 RDS(on) 降低 37% 以上以及 FOMQg x RDS(on) 提高 ~32%。 性能的提升带来了更高的系统效率和功率密度。

特性

  • 高性能硅技术
  • 低顶部 RthJC (0/72 K/W)
  • 正常电平栅极驱动
  • 额定温度为 175°C
  • 行业资质

产品优势

  • 传导损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 开关损耗比 OptiMOS ™ 5 更低
  • 改善散热
  • 卓越的功率处理能力
  • 强劲可靠的性能
  • SuperSO8 的直接替代品

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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