现货，推荐
符合RoHS标准

ISC165N15NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISC165N15NM6
ISC165N15NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG (typ @10V)
    14.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    16.5 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
受到推崇的
OPN
ISC165N15NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
ISC165N15NM6 利用 OptiMOS ™ 6 150 V 无与伦比的性能和稳健性，成为传统 OptiMOS ™ 3 150 V 产品的合适替代品。 OptiMOS ™ 6 150 V 技术旨在满足硬开关和软开关中高和低开关频率应用的要求。

特性

  • FOMg 比 OptiMOS ™ 5 低 20%
  • 150 V 下业界最低的 Qrr
  • 与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善
  • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内
  • 高雪崩强度
  • 最大 Tj 为 175°C

产品优势

  • 低传导和开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联时实现更好的电流共享
  • 优化 PCB 面积利用率
  • 增强稳健性
  • 提高系统可靠性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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