JANSF2N7270U
现货，推荐

JANSF2N7270U

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7270U
JANSF2N7270U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7270U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    450 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7270U 是采用 SMD-1 封装的单个 500V、11A 抗辐射 N 沟道 MOSFET。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并符合 QPL 标准。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术用于空间应用中的高性能功率 MOSFET，可提供低 RDS(on) 和低栅极电荷。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区