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JANSF2N7431

数据手册
封装

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JANSF2N7431
JANSF2N7431
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431
  • RDS (on) (@25°C) max
    21 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7431 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射能力，额定电压为 60V，最大电流为 35A。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，使其适合于 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。这款 R4 MOSFET 的电气性能高达 300krad (Si) TID 和 QPL 分类，非常适合空间应用，并采用 TO-254AA 密封封装。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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