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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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JANSF2N7550U2
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ESD等级Class 3A
-
最高 ID (@100°C)-30 A
-
最高 ID (@25°C)-47 A
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QG170 nC
-
QPL部件号2N7550U2
-
最高 RDS (on) (@25°C)49 mΩ
-
最高 TID300 Krad(Si)
-
VBRDSS-100 V
-
最高 VF-5 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-2
-
极性P
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸6
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
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OPN
|
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| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | |
| 封装尺寸 | |
| 封装类型 | |
| 湿度 | |
| 防潮封装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合RoHS标准 | |
P 通道 MOSFET JANSF2N7550U2 是单个抗辐射元件，额定电压为 -100V，容量为 -47A。其 SMD-2 封装具有高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。
应用
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