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JANSF2N7586T1

数据手册
封装

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JANSF2N7586T1
JANSF2N7586T1
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    28.5 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    220 C
  • QPL Part Number
    2N7586T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    41 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款抗辐射单 QPL 认证 N 沟道 MOSFET 可处理高达 250V 和 45A 的电压。其电气性能可承受高达300krad(Si)TID。JANSF2N7586T1 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，可提供快速开关、电压控制和温度稳定性。IR HiRel R6 技术确保了空间电源应用的飞行验证性能。

应用

文档

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设计资源

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