JANSF2N7588T3
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JANSF2N7588T3

JANSF2N7588T3 JANS N-channel MOSFET is a single, radiation-hardened device ideal for space applications.
数据手册
封装

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JANSF2N7588T3
JANSF2N7588T3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7588T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.042 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    JANS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7588T3 JANS N-channel MOSFET is a single, radiation-hardened device ideal for space applications. It operates at 100 V and 20 A, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. Its electrical performance is up to 300 krad(Si) TID, making it highly reliable. The TO-257AA tabless low ohmic package offers improved thermal performance.

特性

  • Single Event Effect (SEE) Hardened
  • Low RDS(on)
  • Low Total Gate Charge
  • Fast Switching
  • Simple Drive Requirements
  • Hermetically Sealed
  • Electrically Isolated
  • Ceramic Eyelets
  • Light Weight
  • ESD Rating: Class 1C (MIL-STD-750, 1020)

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区