JANSF2N7658T1
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JANSF2N7658T1
JANSF2N7658T1
  • ESD等级
    3B
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19.5 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-254AA-Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

开发者社区

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