JANSF2N7665T1
现货，推荐

JANSF2N7665T1

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSF2N7665T1
JANSF2N7665T1
数据手册
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射，-100V，-45A，P沟道MOSFET，R9采用低欧姆TO-254AA封装 - 300krad(Si) TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 改进的 SOA，用于线性模式操作
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 电气隔离
  • 陶瓷孔眼
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：3B 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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