现货，推荐

JANSG2N7261

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSG2N7261
JANSG2N7261
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    5 A
  • ID (@25°C) max
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7261
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSG2N7261 是一款 100V、8A 抗辐射单 N 沟道 MOSFET，电气性能高达 500krad(Si) TID 和 QPL 分类。IR HiRel HEXFET 技术为空间应用提供了可靠性，降低了 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为恶劣辐射环境下高性能电源系统的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }