JANSG2N7261
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JANSG2N7261

数据手册
封装

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JANSG2N7261
JANSG2N7261
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7261
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    180 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSG2N7261 是一款 100V、8A 抗辐射单 N 沟道 MOSFET，电气性能高达 500krad(Si) TID 和 QPL 分类。IR HiRel HEXFET 技术为空间应用提供了可靠性，降低了 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为恶劣辐射环境下高性能电源系统的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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