JANSG2N7270U
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JANSG2N7270U

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封装

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JANSG2N7270U
JANSG2N7270U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7270
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    450 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSG2N7270U 是单个 60V、35A 抗辐射器件，电气性能高达 500krad(Si) TID。其 HiRel HEXFET 技术可确保空间应用的高性能和可靠性，并具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。JANSG2N7270U 符合 QPL 标准，采用 TO-254AA 封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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