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JANSG2N7394U

数据手册
封装

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JANSG2N7394U
JANSG2N7394U
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    30 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    200 nC
  • QPL Part Number
    2N7394U
  • RDS (on) (@25°C) max
    27 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-1
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    5
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款抗辐射 R4 N 沟道 MOSFET 是单个高性能组件，额定电压为 60V，额定电流为 35A。采用SMD-1封装，电气性能高达500krad(Si) TID，符合QPL资质标准。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。经过验证的可靠性和性能使 JANSG2N7394U 成为空间应用的绝佳选择。

应用

文档

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