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JANSR2N7270U

数据手册
封装

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JANSR2N7270U
JANSR2N7270U
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    7 A
  • ID (@25°C) max
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL Part Number
    2N7270U
  • RDS (on) (@25°C) max
    450 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.6 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-1
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    5
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7270U 是单个 QPL 认证功率 MOSFET，额定电压为 500V，额定电流为 11A。采用 SMD-1 封装，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。凭借较低的 RDS(on) 和栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。这款 R4 设备采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有经过验证的性能和可靠性，非常适合空间应用。

应用

文档

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设计资源

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