JANSR2N7425U
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JANSR2N7425U

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JANSR2N7425U
JANSR2N7425U
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -24 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -38 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7425U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    68 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -3.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
P 通道 MOSFET JANSR2N7425U 是单个抗辐射元件,额定电压为 -100V,容量为 -38A。其 SMD-2 封装具有高达 100krad (Si) TID 和 QPL 资格的电气性能,非常适合空间应用。R4 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗,非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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