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JANSR2N7431U

数据手册
封装

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JANSR2N7431U
JANSR2N7431U
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431U
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSR2N7431U 是采用 SMD-2 封装的抗辐射设备，额定电压为 60V，额定电流为 56A。这款符合 QPL 标准的 R4 器件提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。它还提供电压控制、快速切换和温度稳定性——非常适合空间应用。

应用

文档

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设计资源

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