JANSR2N7433U
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JANSR2N7433U

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JANSR2N7433U
JANSR2N7433U
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    27 A
  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7433U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    70 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
该抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为空间应用而设计,额定电压为 200V,额定电流为 27A。其紧凑的 SMD-2 封装可提供高达 500krad(Si) TID 的电气性能,其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。JANSR2N7433U保留了MOSFET的快速开关、电压控制和温度稳定性等优点。这是 IRHNA7260 的 JANS 认证版本。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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