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JANSR2N7471T1

数据手册
封装

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JANSR2N7471T1
JANSR2N7471T1
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 C
  • QPL Part Number
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7471T1 是单个 R5 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 45A。它具有抗辐射性能，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。它在卫星电力系统中经过验证的性能和可靠性使其成为值得信赖的选择。

应用

文档

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