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JANSR2N7587U3

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JANSR2N7587U3
JANSR2N7587U3

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R6 N 沟道 MOSFET JANSR2N7587U3 是一款具有 100V、22A 能力的抗辐射设备。其 SMD-0.5 封装和 QPL 分类使其成为空间应用的理想选择。JANSR2N7587U3 具有卓越的功率和抗 SEE 能力,还具有低 RDS(on) 和更快的开关时间,非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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