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JANSR2N7616UB

数据手册
封装

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JANSR2N7616UB
JANSR2N7616UB
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7616UB 是单 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，电流为 0.8A。它具有抗辐射性能，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类。在 UB 封装中，此 R7 设备非常适合与 CMOS 和 TTL 控制电路连接。它的低阈值电压和单粒子门破裂和烧毁免疫力使其成为与大多数逻辑门、微控制器和其他 3.3-5V 设备类型的接口的理想选择。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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