JANTXVF2N7431U
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JANTXVF2N7431U

数据手册
封装

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JANTXVF2N7431U
JANTXVF2N7431U
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
N 沟道 MOSFET JANTXVF2N7431U 是单个 60V、56A 抗辐射器件。其电气性能高达300krad(Si)TID，符合QPL分类。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术具有出色的功率效率和低功耗，非常适合空间中的 DC-DC 转换器和电机控制应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区