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S25FL127SABMFB100

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S25FL127SABMFB100
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商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    54 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    108 / -
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S25FL127SABMFB100
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 280
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 280
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL127S是一款128 Mb SPI多I/O闪存，采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现快速编程和擦除。支持单、双、四路SPI命令，最高读取速率54 MBps。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至125°C，具备10万次擦写耐久，20年数据保持，支持OTP和扇区保护等高级安全功能。典型用途为代码影像、XIP和存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核
  • 128 Mb (16 MB)容量
  • 支持SPI多I/O
  • 24/32位寻址选项
  • 读取命令：普通、快速、双、四路
  • AutoBoot上电/复位自动读取
  • 256/512字节编程缓冲区
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP区

产品优势

  • 低电压降低功耗
  • 大容量支持更多存储
  • SPI多I/O兼容性强
  • 扩展寻址适用大设计
  • 多种读取模式提升速度
  • AutoBoot加快启动
  • 大缓冲区提升编程效率
  • ECC提升数据可靠性
  • 多擦除选项适应不同需求
  • 高耐久减少维护
  • 长期保存保障数据
  • OTP区增强安全

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }