请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

S25FL127SABNFB103

停产
数据手册
封装
软件
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL127SABNFB103
S25FL127SABNFB103
视图替换
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    54 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    108 / -
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S25FL127SABNFB103
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18755)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18755)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL127SABNFB103是一款128 Mb SPI多I/O闪存，采用MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，提升编程与擦除性能。支持普通、快速、双通道和四通道读取，四通道读取速度高达54 MBps（108 MHz）。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，每个扇区支持10万次擦写，数据保持20年。具备1024字节一次性可编程（OTP）区域，适用于嵌入式存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核
  • 128 Mb (16 MB)容量
  • 支持SPI多I/O
  • 24/32位寻址选项
  • 读取命令：普通、快速、双、四路
  • AutoBoot上电/复位自动读取
  • 256/512字节编程缓冲区
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP区

产品优势

  • 低电压降低功耗
  • 大容量支持更多存储
  • SPI多I/O兼容性强
  • 扩展寻址适用大设计
  • 多种读取模式提升速度
  • AutoBoot加快启动
  • 大缓冲区提升编程效率
  • ECC提升数据可靠性
  • 多擦除选项适应不同需求
  • 高耐久减少维护
  • 长期保存保障数据
  • OTP区增强安全

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }