S25HL512TDPNHV010
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TDPNHV010

数据手册
封装
评估板

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S25HL512TDPNHV010
S25HL512TDPNHV010
数据手册
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HL512TDPNHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HL512TDPNHV010是一款512 Mbit SEMPER™ NOR闪存，通过Quad SPI实现代码与数据存储。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至105°C（工业加强级）。接口支持133 MHz SDR与66 MHz DDR，带宽最高66 MByte/s。内置ECC(SECDED)、数据完整性CRC、SafeBoot/AutoBoot及高级扇区保护，适用于可靠启动与在线升级。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™每单元2位
  • 均匀或混合扇区架构
  • 256 KB扇区+32个4 KB扇区
  • 256 B或512 B编程缓冲
  • 四线SPI:1-1-4/1-4-4/4-4-4
  • DDR读取高达102 MBps
  • 16字节数据单元汉明ECC
  • SECDED纠1位检2位
  • 存储阵列数据完整性CRC
  • Endurance Flex磨损均衡
  • ASP每扇区DYB/PPB保护
  • 1024字节SSR含32锁区

产品优势

  • 更高密度减少板级占用
  • 引导/数据布局适配MCU
  • 小扇区支持精细化更新
  • 更快写入缩短更新时间
  • 主机接口更易兼容
  • 高读取速率加速取指
  • ECC提升现场数据可靠性
  • 检出双位错误助力安全
  • CRC及早发现读数据损坏
  • 磨损均衡延长闪存寿命
  • 按扇区锁定防篡改
  • SSR用于ID与安全存储

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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