现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TDPNHV010

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封装
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S25HL512TDPNHV010
S25HL512TDPNHV010
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HL512TDPNHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HL512TDPNHV010 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的成员。这款 512 Mbit 密度的 HL-T 闪存具有强大的功能，采用四路 SPI 接口，带宽为 66 MByte/s，工作电压为 3 V。它展示了 SDR 的 133 MHz 和 DDR 的 66 MHz 的闪电般快速的接口频率。它采用了先进的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术，确保每个内存阵列单元中有两个数据位。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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