现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS512TDPMHI013

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25HS512TDPMHI013
S25HS512TDPMHI013
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HS512TDPMHI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TDPMHI013 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的一部分，密度为 512 Mbit。采用Quad SPI接口，接口带宽66MByte/s，工作电压1.8V。该产品适用于各种应用，采用英飞凌可靠的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术并具有不同的扇区架构选项。该高速存储设备采用英飞凌的PG-DSO-16封装。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }