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符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTGABHV023

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S26HS01GTGABHV023
S26HS01GTGABHV023

商品详情

  • Density
    1 GBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interface Bandwidth
    333 MByte/s
  • Interfaces
    HYPERBUS
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • Family
    HS-T
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Qualification
    Industrial
OPN
S26HS01GTGABHV023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26HS01GTGABHV023 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的一部分。它是一款高密度 1 Gbit 存储设备,采用英飞凌® 45 纳米镜像位技术。其接口频率为 200 MHz(DDR),具有 HYPERBUS ™接口,带宽为 333 MByte/s,电压为 1.8V。该设备采用 PG-BGA-24 封装,秉承英飞凌对安全和质量的承诺。

特性

  • xSPI (HYPERBUS ™ )
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性超过 10 年
  • 数据保留时间长达 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

设计资源

开发者社区

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