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符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTGABHV023

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S26HS01GTGABHV023
S26HS01GTGABHV023

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S26HS01GTGABHV023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26HS01GTGABHV023是一款1 Gb SEMPER™ NOR闪存,采用HYPERBUS™接口,支持DDR(最高400 MBps)和传统SPI。基于45 nm MIRRORBIT™技术,具备灵活扇区结构,主阵列可达2,560,000次擦写,数据保存25年。符合ISO 26262 ASIL-B和AEC-Q100标准,集成高级ECC、数据完整性CRC、SafeBoot和Endurance Flex,适用于高耐久或长数据保存应用。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT技术,单元2比特
  • 可配置扇区架构:均匀或混合
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • OTP安全硅区(SSR)1024字节
  • HYPERBUS和传统SPI接口
  • DDR最高400MBps,SDR最高21MBps
  • 内置ECC:单比特纠错,双比特检测
  • 接口与数据完整性CRC
  • SafeBoot和AutoBoot功能
  • 高级扇区保护
  • Endurance Flex高耐久/长保持分区
  • JEDEC xSPI(JESD251)兼容

产品优势

  • 高密度高可靠性满足严苛应用
  • 灵活内存映射便于设计
  • 快速编程提升吞吐
  • 敏感数据安全存储
  • 多主机接口轻松集成
  • 高速率实现快速数据访问
  • 增强数据完整性与容错
  • 通信错误检测与修正
  • 快速可靠启动与恢复
  • 细粒度内存保护
  • 可定制耐久性满足不同需求
  • 行业标准兼容广泛应用

应用

文档

设计资源

开发者社区

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