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符合RoHS标准
无铅

S70GL02GS12FHBV23

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封装
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S70GL02GS12FHBV23
S70GL02GS12FHBV23
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    120 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S70GL02GS12FHBV23
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70GL02GS12FHBV23是一款2 Gbit（256 MB）并行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术，集成双芯片堆叠实现高密度存储。3.0 V内核电源，1.65 V至VCC的Versatile I/O，工作温度-40°C至+105°C（AEC-Q100 Grade 2）。器件提供2048个均匀128 KB扇区，120 ns随机访问，512字节页编程。具备先进扇区保护、20年数据保持和每扇区10万次擦写，适用于汽车和工业领域。

特性

  • 65 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V操作
  • 灵活I/O电压：1.65 V至VCC
  • 16位数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲
  • 统一128 KB扇区
  • 支持编程/擦除挂起恢复
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 1024字节OTP阵列可锁定
  • WP#输入保护扇区
  • 25 ns页访问，110 ns随机访问

产品优势

  • 大容量支持海量存储
  • 快速访问提升系统性能
  • 灵活I/O简化集成
  • 大缓冲加速读写
  • 统一扇区便于管理
  • 挂起恢复提升多任务
  • 强大保护保障数据安全
  • OTP阵列支持安全存储
  • WP#防止误写
  • 低待机电流省电
  • 高耐久减少维护
  • 长期保持数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }