现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70GL02GS12FHIV13

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70GL02GS12FHIV13
S70GL02GS12FHIV13
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    120 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    20 ns
推荐的
OPN
S70GL02GS12FHIV13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70GL02GS12FHIV13是一款2 Gbit（256 MB）并行NOR闪存，采用Infineon MIRRORBIT™技术和65 nm工艺，具备高密度和高可靠性。单电源2.7 V至3.6 V，支持Versatile I/O™（1.65 V至VCC），随机访问时间110 ns，页访问25 ns。拥有512字节编程缓冲区、2048个均匀128 KB扇区、先进扇区保护和20年数据保持，通过AEC-Q100 Grade 2认证（–40°C至+105°C），适用于汽车和工业嵌入式应用。

特性

  • 65 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V操作
  • 灵活I/O电压：1.65 V至VCC
  • 16位数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲
  • 统一128 KB扇区
  • 支持编程/擦除挂起恢复
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 1024字节OTP阵列可锁定
  • WP#输入保护扇区
  • 25 ns页访问，110 ns随机访问

产品优势

  • 大容量支持海量存储
  • 快速访问提升系统性能
  • 灵活I/O简化集成
  • 大缓冲加速读写
  • 统一扇区便于管理
  • 挂起恢复提升多任务
  • 强大保护保障数据安全
  • OTP阵列支持安全存储
  • WP#防止误写
  • 低待机电流省电
  • 高耐久减少维护
  • 长期保持数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }