S70KL1281DABHI023

高性能 128 MBit HYPERRAM，具有 40ns 初始访问时间和 200 MByte/s 接口带宽
数据手册

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S70KL1281DABHI023
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商品详情

  • 初始访问时间
    40 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 系列
    KL-1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
Cypress ® HyperRAM ™设备是一款具有 HyperBus 接口的高速 CMOS DRAM。128 Mb 版本是 64 Mb 设备的双芯片堆栈。它具有刷新控制逻辑，对于主机来说它类似于 PSRAM，无需手动刷新操作。主机应管理事务持续时间以满足内部刷新需求。

特性

  • 3.0VI/O，11个总线信号：单端时钟（CK）
  • 1.8VI/O，12个总线信号：差分时钟（CK，CK#）
  • 片选 (CS#)
  • 8 位数据总线（DQ[7:0]）
  • 读写数据选通 (RWDS)
  • RWDS DCARS 时间
  • 双倍数据速率 (DDR)
  • 3.0 V VCC
    • 时时钟频率为 100 MHz（200 MBps）
  • 顺序突发事务
  • 可配置的突发特性

应用

文档

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设计资源

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