SIGC42T120C

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

SIGC42T120C
SIGC42T120C
数据手册

商品详情

  • IC max
    25 A
  • ICpuls max
    75 A
  • td(off)
    420 ns
  • td(on)
    75 ns
  • VCE(sat) max
    3 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    4.5 V to 6.5 V
  • Package
    sawn on foil
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Technology
    IGBT2
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 IGBT 2 系列采用非穿通 IGBT 技术，具有低开关损耗和高稳健性。

特性

  • 正温度系数
  • 易于并联
  • 高鲁棒性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }