SMBT3906U

数据手册

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SMBT3906U
SMBT3906U
数据手册

商品详情

  • fT
    250 MHz
  • hFE 范围
    100 至 300
  • 最高 ICBO
    50 nA
  • 最高 IC
    200 mA
  • IC
    200 mA
  • 最高 Ptot
    330 mW
  • 最高 VCBO
    40 V
  • 最高 VCEO
    40 V
  • VCE
    1 V
  • 最高 VEBO
    5 V
  • 极性
    PNP (Dual)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
PNP硅开关晶体管

特性

  • 高直流电流增益：0.1 mA 至 100 mA
  • 低集电极-发射极饱和电压
  • 对于 SMBT3906S 和 SMBT3906U：
  • 两个（电流）内部隔离晶体管，在一个封装中具有良好的匹配性
  • 互补类型：SMBT3904...MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/U：有关卷轴方向，请参阅下面的封装信息
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装
  • 符合 AEC Q101 要求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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