SPB04N60S5

SPB04N60S5

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

SPB04N60S5
SPB04N60S5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    4.5 A
  • 最高 ID
    4.5 A
  • 最高 IDpuls
    9 A
  • 最高 Ptot
    50 W
  • QG
    17.6 nC
  • QG (typ @10V)
    17.6 nC
  • 最高 RDS (on)
    950 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    950 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.5 K/W
  • Rth
    2.5 K/W
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 5.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • 创新高压技术
  • 全球最佳 R TO-251 和 TO-252 中的 DS(on)
  • 超低栅极电荷
  • 周期性雪崩额定值
  • 极高 dv/dt 额定值
  • 超低有效电容
  • 提高跨导

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区