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停产
已停产
符合RoHS标准

SPB18P06P G

停产
P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-60V，D2PAK
数据手册
封装

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SPB18P06P G
SPB18P06P G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    690 pF
  • Coss
    230 pF
  • ID max
    -18.6 A
  • IDpuls max
    -74.8 A
  • Ptot max
    80 W
  • QG (typ @10V)
    18.6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    130 mΩ
  • RthJC max
    1.85 K/W
  • Rth
    1.85 K/W
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度
    -50 °C to 175 °C
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 预算价格€/1k
    0.41
OPN
SPB18P06PGATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

    • 应用

    文档

    文档

    设计资源

    合作伙伴解决方案

    开发者社区

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